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    瀏覽量:1243 上傳更新:2019-06-04
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    碳化硅具有帶隙寬、臨界擊穿場高、熱導率高、飽和電子漂移速度高、介電常數低等優點。首先,4H-SiC的帶隙為3.26eV,是硅的三倍多,使器件耐高溫并發出藍光。碳化硅(2≤4mV/cm)的臨界擊穿場強很高,4H-SiC的臨界擊穿場強為2.2mV/cm,比Si和GaAs的臨界擊穿場強高一個數量級。因此,碳化硅器件能夠承受高電壓和大功率。熱導率大時,熱導率是Si的3.3倍,GaAs的10倍。當熱導率較大時,器件的熱導率較好,集成電路的集成度可提高,但散熱系統減小,整機體積也大大減小。高飽和電子漂移速度和低介電常數可以使器件工作在高頻和高速。然而,值得注意的是,碳化硅具有閃鋅礦和纖鋅礦結構。結構中的每個原子都被四個不同的原子包圍。雖然硅碳原子被共價鍵結合,但硅原子1.8的負電荷比負電荷2.6的C原子的負電荷小。根據波林公式,離子鍵的貢獻率約為12%,對載流子遷移率有一定的影響。根據已發表的數據,輕摻雜3c-SiC的載流子遷移率在各種碳化硅同素異形體中最高,相關研究也較多。在高純3C-SiC中,輕摻雜3C-SiC的電子遷移率可能超過1000cm/(V)。s),最高的跟硅也有一定的差距。

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